« poprzedni punkt  następny punkt »


2. Rodzaje pamięci półprzewodnikowych

Wśród produkowanych pamięci półprzewodnikowych wyróżnia się dwa podstawowe rodzaje pamięci: pamięci ROM i pamięci RAM.

Pamięci ROM są to pamięci, w których raz zapisana informacja może być w czasie normalnej pracy wielokrotnie odczytywana. Stąd nazwa tych pamięci: pamięci tylko czytane (ROM - Read Only Memory). Cechą charakterystyczną tych pamięci jest również to, że zapisana w nich informacja jest utrzymywana dowolnie długo niezależnie od tego czy włączone jest napięcie zasilające czy nie. Pamięci te są określane również jako pamięci stałe. Produkowane są różne typy pamięci stałych różniące się przede wszystkim sposobem zapisywania pierwotnej informacji. Wyróżnia się tu pamięci ROM, PROM, EPROM, EEPROM, FLASH. Właściwości tych pamięci zostaną omówione dokładniej w dalszej części wykładu.

Pamięci RAM są to pamięci, które w czasie normalnej pracy umożliwiają zarówno odczyt jak i zapis informacji. Właściwość ta nie jest bezpośrednio widoczna w nazwie pamięci. Skrót RAM (Random Access Memory - pamięć z dostępem swobodnym) odnosi się bowiem do sposobu dostępu do pamięci charakteryzującego się tym, że czas dostępu do dowolnej komórki pamiętającej jest stały. Zauważmy, że zarówno pamięci ROM jak i pamięci RAM są pamięciami z dostępem swobodnym. W większości pamięci RAM zapisana informacja jest utrzymywana dopóki jest włączone zasilanie. Po wyłączeniu zasilania cała zawartość pamięci jest bezpowrotnie tracona. Stąd pamięci te są określane jako pamięci ulotne.

Do budowy pamięci RAM wykorzystuje się różne elementy pamiętające. Ze względu na rodzaj elementów pamiętających wyróżnia się pamięci statyczne (S-RAM), w których podstawowym elementem pamiętającym jest przerzutnik oraz pamięci dynamiczne (DRAM), w których informacja jest pamiętana w postaci ładunku zgromadzonego w kondensatorze.

Podstawowymi parametrami pamięci półprzewodnikowych są: pojemność pamięci oraz szybkość pracy. Pojemność pamięci określa się podając liczbę pamiętanych bitów (np. 16 Mb) albo liczbę pamiętanych słów o określonej długości (na przykład 2 M x 8, 1 M x 16). Szybkość pracy pamięci charakteryzuje się za pomocą parametrów dynamicznych: czas dostępu do pamięci i czas cyklu. Czas dostępu do pamięci jest to czas, po którym uzyskamy na wyjściach pamięci odczytaną informację, licząc od chwili zażądania tej informacji. Natomiast czas cyklu jest to minimalny czas, po którym możemy ponownie zwrócić się do pamięci, na przykład w celu odczytania kolejnej informacji. Czas cyklu z reguły jest dłuższy od czasu dostępu.


« poprzedni punkt  następny punkt »