1. Omówić budowę i działanie komórki pamiętającej w pamięci DRAM.
2. Omówić zasadę adresowania XY w pamięciach półprzewodnikowych.
3. Narysować schemat blokowy pamięci DRAM o pojemności 256 Mb.
4. Podać różnice między pamięciami EPROM, EEPROM i FLASH.