Zadania

1. Omówić budowę i działanie komórki pamiętającej w pamięci DRAM.

2. Omówić zasadę adresowania XY w pamięciach półprzewodnikowych.

3. Narysować schemat blokowy pamięci DRAM o pojemności 256 Mb.

4. Podać różnice między pamięciami EPROM, EEPROM i FLASH.