Podsumowanie

W wykładzie omówiono budowę atomową materiałów półprzewodnikowych. Podano sposoby domieszkowania ich struktur w celu uzyskania zwiększonego efektu przewodnictwa. Domieszkowanie może prowadzić do półprzewodników nadmiarowych typu n lub niedomiarowych typu p. Z tych różnego typu półprzewodników tworzy się złącza, które stanowią podstawę elementów i przyrządów półprzewodnikowych.

Najprostsze wykorzystanie złącza p-n stanowią diody półprzewodnikowe. Wykorzystuje się w nich zmianę przewodnictwa prądowego w zależności od sposobu polaryzacji złącza. Korzysta się również ze zmiany pojemności złącza w funkcji napięcia. Elementy te maja różnorakie zastosowania, od roli zaworu jednokierunkowego przez stabilizację do elementu sygnalizacyjnego.

Stworzenie podwójnego złącza p-n-p lub n-p-n prowadzi do drugiego elementu zwanego tranzystorem, w którym zjawiska w jednym ze złączy sterują procesem przewodnictwa w drugim złączu. Podano parametry charakterystyczne i charakterystyki tranzystorów. Podstawowym zastosowanie tranzystora jest wykorzystanie go w układach wzmacniających. Druga rola jaka może pełnić tranzystor to klucz elektroniczny, w którym tranzystor pełni rolę przełącznika.

Ze względu na technologię wytwarzania elementy półprzewodnikowe można łączyć w mikrostruktury, spełniające określone funkcje układowe tworząc układy scalone. Ich klasyfikację można przeprowadzać pod względem różnych kryteriów. Zasadnicze grupy układów scalonych to układy analogowe i układy cyfrowe. Inny podział to układy o różnym stopniu integracji. Przedstawiono również podział pod względem technologicznym na układy monolityczne i układy hybrydowe. Omówiono jedynie budowę i właściwości układów monolitycznych, z powodu szerszego ich zastosowania w praktyce.